SVSP80R180P7E3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SVSP80R180P7E3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 103 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SVSP80R180P7E3
SVSP80R180P7E3 Datasheet (PDF)
svsp80r180se3 svsp80r180se3tr svsp80r180fjde3 svsp80r180p7e3.pdf
SVSP80R180S(FJD)(P7)E3 24A, 800V MOS 2SVSP80R180S(FJD)(P7)E3 N MOSFET MOS 1 123 3SVSP80R180S(FJD)(P7)E3
Другие MOSFET... SVSP65R110SHD4TR , SVSP65R110THD4 , SVSP7N70DD2TR , SVSP7N70FD2 , SVSP7N70FJDD2 , SVSP7N70SD2 , SVSP7N70SD2TR , SVSP80R180FJDE3 , AO3401 , SVSP80R180SE3 , SVSP80R180SE3TR , SVT03100ND , SVT03100NL3 , SVT03110PL3 , SVT03200PSA , SVT032R5ND , SVT03380PSA .
History: AOT11S60L | 2N65G-T6C-K
History: AOT11S60L | 2N65G-T6C-K
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458 | a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882


