Справочник MOSFET. SVT044R5NDTR

 

SVT044R5NDTR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVT044R5NDTR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 112 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 178 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 542 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SVT044R5NDTR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVT044R5NDTR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:459K  silan
 svt044r5nt svt044r5ndtr svt044r5nl5tr.pdf pdf_icon

SVT044R5NDTR

SVT044R5NT/D/L5 178A40V N 2 S D1 8SVT044R5NT/D/L5 N MOS S 2 7 D1DS 3 6 LVMOS G 4 5 D 3

 4.1. Size:485K  silan
 svt044r5nt svt044r5nd svt044r5nl5.pdf pdf_icon

SVT044R5NDTR

SVT044R5NT/D/L5_Datasheet 178A, 40V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVT044R5NT/D/L5 an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using SILAN LVMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. This device is widely used in UPS, Power Mana

 9.1. Size:352K  silan
 svt043r0nt svt043r0nl5tr.pdf pdf_icon

SVT044R5NDTR

SVT043R0NT/L5 180A40V N 2S D1 8SVT043R0NT/L5 N MOS S 7 D2 LVMOS 1DS 3 6 G 4 5 D

 9.2. Size:353K  silan
 svt042r5nl5tr svt042r5nt.pdf pdf_icon

SVT044R5NDTR

SVT042R5NL5(T) 240A40V N 2S D1 8SVT042R5NL5(T) N MOS S 7 D2 LVMOS 1DS 3 6 G 4 5 D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVT035R5NT , SVT037R0NL3 , SVT041R7NT , SVT04230NR , SVT042R5NL5TR , SVT042R5NT , SVT043R0NL5TR , SVT043R0NT , 5N65 , SVT044R5NL5TR , SVT068R5NDTR , SVT068R5NL5TR , SVT068R5NSTR , SVT068R5NT , SVT078R0NS , SVT078R0NT , SVT085R5NKL .

History: SI4862DY

 

 
Back to Top

 


 
.