SVT044R5NDTR - описание и поиск аналогов

 

SVT044R5NDTR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVT044R5NDTR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 112 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 178 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 542 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SVT044R5NDTR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVT044R5NDTR даташит

 ..1. Size:459K  silan
svt044r5nt svt044r5ndtr svt044r5nl5tr.pdfpdf_icon

SVT044R5NDTR

SVT044R5NT/D/L5 178A 40V N 2 S D 1 8 SVT044R5NT/D/L5 N MOS S 2 7 D 1 D S 3 6 LVMOS G 4 5 D 3

 4.1. Size:485K  silan
svt044r5nt svt044r5nd svt044r5nl5.pdfpdf_icon

SVT044R5NDTR

SVT044R5NT/D/L5_Datasheet 178A, 40V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVT044R5NT/D/L5 an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using SILAN LVMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. This device is widely used in UPS, Power Mana

 9.1. Size:352K  silan
svt043r0nt svt043r0nl5tr.pdfpdf_icon

SVT044R5NDTR

SVT043R0NT/L5 180A 40V N 2 S D 1 8 SVT043R0NT/L5 N MOS S 7 D 2 LVMOS 1 D S 3 6 G 4 5 D

 9.2. Size:353K  silan
svt042r5nl5tr svt042r5nt.pdfpdf_icon

SVT044R5NDTR

Другие MOSFET... SVT035R5NT , SVT037R0NL3 , SVT041R7NT , SVT04230NR , SVT042R5NL5TR , SVT042R5NT , SVT043R0NL5TR , SVT043R0NT , 2SK3568 , SVT044R5NL5TR , SVT068R5NDTR , SVT068R5NL5TR , SVT068R5NSTR , SVT068R5NT , SVT078R0NS , SVT078R0NT , SVT085R5NKL .

History: STF24N60M2 | STF2LN60K3 | STF26NM60N-H | 2SJ328-Z | AP8600MT | MTP3055V | STD85N3LH5

 

 

 

 

↑ Back to Top
.