SVT068R5NSTR - описание и поиск аналогов

 

SVT068R5NSTR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVT068R5NSTR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SVT068R5NSTR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVT068R5NSTR даташит

Другие MOSFET... SVT042R5NL5TR , SVT042R5NT , SVT043R0NL5TR , SVT043R0NT , SVT044R5NDTR , SVT044R5NL5TR , SVT068R5NDTR , SVT068R5NL5TR , SI2302 , SVT068R5NT , SVT078R0NS , SVT078R0NT , SVT085R5NKL , SVT085R5NL5TR , SVT085R5NS , SVT085R5NT , SVT10111ND .

History: MTP1N50 | JMSL1040AGDQ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.