Справочник MOSFET. SVT10111ND

 

SVT10111ND Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVT10111ND
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SVT10111ND

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVT10111ND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:383K  silan
svt10111nd.pdfpdf_icon

SVT10111ND

SVT10111ND 14A100V N 2SVT10111ND N MOS LVMOS 1

 9.1. Size:397K  silan
svt10500pd.pdfpdf_icon

SVT10111ND

SVT10500PD -30A-100V P 2SVT10500PD P MOS LVMOS 1

Другие MOSFET... SVT068R5NSTR , SVT068R5NT , SVT078R0NS , SVT078R0NT , SVT085R5NKL , SVT085R5NL5TR , SVT085R5NS , SVT085R5NT , IRF830 , SVT10500PD , SVT1104SA , SVT20240NP7 , SVT20240NS , SVT20240NT , SVT25600NF , SVT25600NT , SVT3025D4 .

History: IRFH4253DPBF | HSF10N65 | HFS12N60U

 

 
Back to Top

 


 
.