Справочник MOSFET. SVT10111ND

 

SVT10111ND MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVT10111ND
   Маркировка: 10111ND
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 27 nC
   trⓘ - Время нарастания: 28.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50.8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SVT10111ND

 

 

SVT10111ND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:383K  silan
svt10111nd.pdf

SVT10111ND
SVT10111ND

SVT10111ND 14A100V N 2SVT10111ND N MOS LVMOS 1

 9.1. Size:397K  silan
svt10500pd.pdf

SVT10111ND
SVT10111ND

SVT10500PD -30A-100V P 2SVT10500PD P MOS LVMOS 1

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top