EMB07N03HR - описание и поиск аналогов

 

EMB07N03HR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EMB07N03HR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для EMB07N03HR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EMB07N03HR даташит

 ..1. Size:215K  1
 emb07n03hr.pdf pdf_icon

EMB07N03HR

EMB07N03HR N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D BVDSS 30V RDSON (MAX.) 7m ID 50A G S UIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 20

Другие MOSFET... SVT20240NS , SVT20240NT , SVT25600NF , SVT25600NT , SVT3025D4 , SVT4607SA , SVTP035R5NL3 , SVTP209R7NP7 , IRLB3034 , EMF90P02A , FQP12N65C , FQPF12N65C , HY3408AP , HY3408AM , HY3408AB , HY3408APS , HY3408APM .

History: AP1333GU-HF | AP2302N-HF | CJQ4406 | MDP7N50 | SVT25600NT | WSF4012 | SFS08R08DF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.