Справочник MOSFET. EMB07N03HR

 

EMB07N03HR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EMB07N03HR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для EMB07N03HR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EMB07N03HR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  1
 emb07n03hr.pdf pdf_icon

EMB07N03HR

EMB07N03HRNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS30VRDSON(MAX.)7mID50AGSUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TA=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS20

Другие MOSFET... SVT20240NS , SVT20240NT , SVT25600NF , SVT25600NT , SVT3025D4 , SVT4607SA , SVTP035R5NL3 , SVTP209R7NP7 , 60N06 , EMF90P02A , FQP12N65C , FQPF12N65C , HY3408AP , HY3408AM , HY3408AB , HY3408APS , HY3408APM .

History: PJM2302NSA-S

 

 
Back to Top

 


 
.