Справочник MOSFET. WM01P60M

 

WM01P60M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WM01P60M
   Маркировка: S33
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.8 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 12 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 14 nC
   Время нарастания (tr): 24 ns
   Выходная емкость (Cd): 445 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для WM01P60M

 

 

WM01P60M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:402K  way-on
wm01p60m.pdf

WM01P60M WM01P60M

WM01P60M P-Channel MOSFET Features V = -12 V, I = -6A DS DR

 9.1. Size:494K  way-on
wm01p41m.pdf

WM01P60M WM01P60M

Document:W0803040, Rev: D WM01P41M M P-Channel MOSFET Features V = -12V, I = -4.1A DS DR

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top