WM02N08F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WM02N08F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 2.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
Тип корпуса: DFN1006-3L
Аналог (замена) для WM02N08F
WM02N08F Datasheet (PDF)
wm02n08f.pdf
WM02N08F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 20V, I = 0.75A DS DDR
wm02n08fb.pdf
WM02N08FB N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 20V, I = 0.75A DS DDR
wm02n08l.pdf
WM02N08L N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR
wm02n08h.pdf
WM02N08H N-Channel Enhancement MOSFET Features D Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR
Другие MOSFET... WM02DN110C , WM02DN48A , WM02DN50M3 , WM02DN560Q , WM02DN60M3 , WM02DN70A , WM02DN70M3 , WM02DP06D , IRFB4110 , WM02N08FB , WM02N08G , WM02N08H , WM02N08L , WM02N20F , WM02N20G , WM02N25M , WM02N28M .
History: CS48N78 | VS3620DE-G | SRH03P142LD33TR-G | PFF12N65 | SI3460DV-T1 | VB8338 | NCE30ND07AS
History: CS48N78 | VS3620DE-G | SRH03P142LD33TR-G | PFF12N65 | SI3460DV-T1 | VB8338 | NCE30ND07AS
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75