Справочник MOSFET. WM02N08G

 

WM02N08G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM02N08G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: SOT323
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02N08G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  way-on
 wm02n08g.pdf pdf_icon

WM02N08G

WM02N08G N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR

 7.1. Size:387K  way-on
 wm02n08l.pdf pdf_icon

WM02N08G

WM02N08L N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR

 7.2. Size:439K  way-on
 wm02n08f.pdf pdf_icon

WM02N08G

WM02N08F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 20V, I = 0.75A DS DDR

 7.3. Size:450K  way-on
 wm02n08h.pdf pdf_icon

WM02N08G

WM02N08H N-Channel Enhancement MOSFET Features D Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: AP4N4R2H | YTF840 | BSS138A | STF20NM60D | AONU32320 | 2SJ542

 

 
Back to Top

 


 
.