WM02N08G - описание и поиск аналогов

 

WM02N08G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WM02N08G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: SOT323

Аналог (замена) для WM02N08G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02N08G даташит

 ..1. Size:408K  way-on
 wm02n08g.pdf pdf_icon

WM02N08G

WM02N08G N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS D R

 7.1. Size:387K  way-on
 wm02n08l.pdf pdf_icon

WM02N08G

WM02N08L N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS D R

 7.2. Size:439K  way-on
 wm02n08f.pdf pdf_icon

WM02N08G

WM02N08F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 20V, I = 0.75A DS D D R

 7.3. Size:450K  way-on
 wm02n08h.pdf pdf_icon

WM02N08G

WM02N08H N-Channel Enhancement MOSFET Features D Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM02DN50M3 , WM02DN560Q , WM02DN60M3 , WM02DN70A , WM02DN70M3 , WM02DP06D , WM02N08F , WM02N08FB , 2N7000 , WM02N08H , WM02N08L , WM02N20F , WM02N20G , WM02N25M , WM02N28M , WM02N31M , WM02N45M .

History: 2SK2381 | WML90R500S | STB80NF03L-04 | TK4R3A06PL | BLV108 | SWT47N70K | NTHS4101P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.