Справочник MOSFET. WM02N08G

 

WM02N08G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WM02N08G
   Маркировка: 02K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.75 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 4.8 ns
   Выходная емкость (Cd): 13 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.38 Ohm
   Тип корпуса: SOT323

 Аналог (замена) для WM02N08G

 

 

WM02N08G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  way-on
 wm02n08g.pdf

WM02N08G WM02N08G

WM02N08G N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR

 7.1. Size:387K  way-on
 wm02n08l.pdf

WM02N08G WM02N08G

WM02N08L N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR

 7.2. Size:439K  way-on
 wm02n08f.pdf

WM02N08G WM02N08G

WM02N08F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 20V, I = 0.75A DS DDR

 7.3. Size:450K  way-on
 wm02n08h.pdf

WM02N08G WM02N08G

WM02N08H N-Channel Enhancement MOSFET Features D Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR

 7.4. Size:350K  way-on
 wm02n08fb.pdf

WM02N08G WM02N08G

WM02N08FB N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 20V, I = 0.75A DS DDR

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top