WM02N08L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WM02N08L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
Тип корпуса: SOT523
Аналог (замена) для WM02N08L
WM02N08L Datasheet (PDF)
wm02n08l.pdf
WM02N08L N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR
wm02n08f.pdf
WM02N08F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 20V, I = 0.75A DS DDR
wm02n08h.pdf
WM02N08H N-Channel Enhancement MOSFET Features D Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR
wm02n08g.pdf
WM02N08G N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR
Другие MOSFET... WM02DN60M3 , WM02DN70A , WM02DN70M3 , WM02DP06D , WM02N08F , WM02N08FB , WM02N08G , WM02N08H , 8205A , WM02N20F , WM02N20G , WM02N25M , WM02N28M , WM02N31M , WM02N45M , WM02N50M , WM02N70ME .
History: WM02N25M | PSMN4R4-80BS | YJJ09N03A | CM6N40 | 2SJ239 | CS20N60W | IPA60R199CP
History: WM02N25M | PSMN4R4-80BS | YJJ09N03A | CM6N40 | 2SJ239 | CS20N60W | IPA60R199CP
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
Popular searches
2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837






