Справочник MOSFET. WM02N08L

 

WM02N08L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM02N08L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: SOT523
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02N08L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:387K  way-on
 wm02n08l.pdf pdf_icon

WM02N08L

WM02N08L N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR

 7.1. Size:439K  way-on
 wm02n08f.pdf pdf_icon

WM02N08L

WM02N08F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 20V, I = 0.75A DS DDR

 7.2. Size:450K  way-on
 wm02n08h.pdf pdf_icon

WM02N08L

WM02N08H N-Channel Enhancement MOSFET Features D Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR

 7.3. Size:408K  way-on
 wm02n08g.pdf pdf_icon

WM02N08L

WM02N08G N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK3354-ZJ | FC6B21150L | 2SK3572-Z | UT20N03G-TN3-R | AP4800GYT-HF | RFP25N05L | SSP5N90

 

 
Back to Top

 


 
.