WM02N28M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WM02N28M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: SOT23
- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
WM02N28M Datasheet (PDF)
..1. Size:328K way-on
wm02n28m.pdf
wm02n28m.pdf
Document: W0803348, Rev: B WM02N28M M N-Channel MOSFET Features V = 20V, I = 2.8A DS DR
8.1. Size:928K way-on
wm02n20g.pdf
wm02n20g.pdf
WM02N20G N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 2A DS DR
8.2. Size:440K way-on
wm02n20f.pdf
wm02n20f.pdf
WM02N20F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 2A DS DGR
Другие MOSFET... WM02N08F , WM02N08FB , WM02N08G , WM02N08H , WM02N08L , WM02N20F , WM02N20G , WM02N25M , K3569 , WM02N31M , WM02N45M , WM02N50M , WM02N70ME , WM02N75M2 , WM02P06F , WM02P06G , WM02P06H .
History: IRFU3706 | SRT04N037LS | NCEAP01ND35AG | 15NM70L-TN3-R
History: IRFU3706 | SRT04N037LS | NCEAP01ND35AG | 15NM70L-TN3-R
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1018AG | JMSL1013AGD | JMSL10130PUD | JMSL10130AY | JMSL10130AUD | JMSL10130APD | JMSL10130AP | JMSL10130AM | JMSL10130AL | JMSL10130AK | JMSL10130AGD | JMSL1009PUN | JMSL1009PP | JMSL1009PK | JMSL1009PG | JMSL1009PF
Popular searches
d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198