WM02N28M - описание и поиск аналогов

 

WM02N28M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WM02N28M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для WM02N28M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02N28M даташит

 ..1. Size:328K  way-on
 wm02n28m.pdf pdf_icon

WM02N28M

Document W0803348, Rev B WM02N28M M N-Channel MOSFET Features V = 20V, I = 2.8A DS D R

 8.1. Size:928K  way-on
 wm02n20g.pdf pdf_icon

WM02N28M

WM02N20G N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 2A DS D R

 8.2. Size:440K  way-on
 wm02n20f.pdf pdf_icon

WM02N28M

WM02N20F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 2A DS D G R

 8.3. Size:416K  way-on
 wm02n25m.pdf pdf_icon

WM02N28M

WM02N25M N-Channel MOSFET Features V = 20V, I = 2.5A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM02N08F , WM02N08FB , WM02N08G , WM02N08H , WM02N08L , WM02N20F , WM02N20G , WM02N25M , IRF9540 , WM02N31M , WM02N45M , WM02N50M , WM02N70ME , WM02N75M2 , WM02P06F , WM02P06G , WM02P06H .

History: 2SK4105 | 2SK443 | STD4N90K5 | STD4LN80K5 | NDT06N03 | STD1NK80Z | 2SK774

 

 

 

 

↑ Back to Top
.