WM02N28M - аналоги и даташиты транзистора

 

WM02N28M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WM02N28M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02N28M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:328K  way-on
 wm02n28m.pdf pdf_icon

WM02N28M

Document: W0803348, Rev: B WM02N28M M N-Channel MOSFET Features V = 20V, I = 2.8A DS DR

 8.1. Size:928K  way-on
 wm02n20g.pdf pdf_icon

WM02N28M

WM02N20G N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 2A DS DR

 8.2. Size:440K  way-on
 wm02n20f.pdf pdf_icon

WM02N28M

WM02N20F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 2A DS DGR

 8.3. Size:416K  way-on
 wm02n25m.pdf pdf_icon

WM02N28M

WM02N25M N-Channel MOSFET Features V = 20V, I = 2.5A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM02N08F , WM02N08FB , WM02N08G , WM02N08H , WM02N08L , WM02N20F , WM02N20G , WM02N25M , K3569 , WM02N31M , WM02N45M , WM02N50M , WM02N70ME , WM02N75M2 , WM02P06F , WM02P06G , WM02P06H .

History: IRFU3706 | VBL1203M

 

 
Back to Top

 


 
.