WM02P06L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WM02P06L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.66 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 5.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
Тип корпуса: SOT523
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
WM02P06L Datasheet (PDF)
wm02p06l.pdf

Document: W0803106, Rev: B WM02P06L 1 P-Channel MOSFET Features V = -20 V, I = -0.66 A DS DR
wm02p06f.pdf

WM02P06F P-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = -20 V, I = -0.66 A DS DSR
wm02p06h.pdf

WM02P06H P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs D V = -20 V, I = -0.66 A DS DR
wm02p06g.pdf

WM02P06G P-Channel MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -0.66 A DS DR
Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
History: DMN3052LSS | FHF630A | SRT08N025HT
History: DMN3052LSS | FHF630A | SRT08N025HT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320