WM02P06L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WM02P06L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.66 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
Тип корпуса: SOT523
Аналог (замена) для WM02P06L
WM02P06L Datasheet (PDF)
wm02p06l.pdf

Document: W0803106, Rev: B WM02P06L 1 P-Channel MOSFET Features V = -20 V, I = -0.66 A DS DR
wm02p06f.pdf

WM02P06F P-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = -20 V, I = -0.66 A DS DSR
wm02p06h.pdf

WM02P06H P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs D V = -20 V, I = -0.66 A DS DR
wm02p06g.pdf

WM02P06G P-Channel MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -0.66 A DS DR
Другие MOSFET... WM02N31M , WM02N45M , WM02N50M , WM02N70ME , WM02N75M2 , WM02P06F , WM02P06G , WM02P06H , SPP20N60C3 , WM02P160R , WM02P18F , WM02P20G , WM02P23M , WM02P26M , WM02P30ME , WM02P40M3 , WM02P40ME .
History: WM02N08G | SIA415DJ



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTP06N06N | MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50
Popular searches
bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320