WM02P160R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WM02P160R
Маркировка: 1216
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 28 nC
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
Тип корпуса: DFN2020-6L
WM02P160R Datasheet (PDF)
wm02p160r.pdf
WM02P160R 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDPin1DDescriptionSDSDSDDWM02P160R uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GDDFeatures DFN2020-6L V = -20V, I = -16A DS DR
wm02p18f.pdf
WM02P18F P-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -1.8A DDS DR
wm02p23m.pdf
WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS DR
wm02p40me.pdf
WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS DR
wm02p06f.pdf
WM02P06F P-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = -20 V, I = -0.66 A DS DSR
wm02p06l.pdf
Document: W0803106, Rev: B WM02P06L 1 P-Channel MOSFET Features V = -20 V, I = -0.66 A DS DR
wm02p41m.pdf
WM02P41M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -4.1A DS DR
wm02p56m3.pdf
WM02P56M3 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -5.6A DS DR
wm02p56m2.pdf
WM02P56M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -5.6A DS DR
wm02p06h.pdf
WM02P06H P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs D V = -20 V, I = -0.66 A DS DR
wm02p40m3.pdf
Document:W0803119, Rev: B WM02P40M3 M P-Channel MOSFET Features V = -20 V, I = -4.0 A DS DR
wm02p06g.pdf
WM02P06G P-Channel MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -0.66 A DS DR
wm02p60m2.pdf
Document:W0803226, Rev: B WM02P60M2 2 P-Channel MOSFET Features V = -20 V, I = -6A DS DR
wm02p30me.pdf
WM02P30ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -3A DS DR
wm02p26m.pdf
WM02P26M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -20V, I = -2.6A DS DR
wm02p20g.pdf
WM02P20G P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -2A DS DR
Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918