Справочник MOSFET. WM02P26M

 

WM02P26M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM02P26M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для WM02P26M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02P26M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:476K  way-on
wm02p26m.pdfpdf_icon

WM02P26M

WM02P26M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -20V, I = -2.6A DS DR

 8.1. Size:474K  way-on
wm02p23m.pdfpdf_icon

WM02P26M

WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS DR

 8.2. Size:480K  way-on
wm02p20g.pdfpdf_icon

WM02P26M

WM02P20G P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -2A DS DR

 9.1. Size:831K  way-on
wm02p40me.pdfpdf_icon

WM02P26M

WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS DR

Другие MOSFET... WM02P06F , WM02P06G , WM02P06H , WM02P06L , WM02P160R , WM02P18F , WM02P20G , WM02P23M , IRFB3607 , WM02P30ME , WM02P40M3 , WM02P40ME , WM02P41M , WM02P56M2 , WM02P56M3 , WM02P60M2 , WM03DH34M3 .

History: SMC3415A | AONR21311C

 

 
Back to Top

 


 
.