WM03N115A - описание и поиск аналогов

 

WM03N115A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WM03N115A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для WM03N115A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM03N115A даташит

 ..1. Size:769K  way-on
wm03n115a.pdfpdf_icon

WM03N115A

WM03N115A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D WM03N115A uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet D maintain superior switching performance. S S Features S G V = 30V, I = 11.5A DS D SOP-8L R

 9.1. Size:2401K  way-on
wm03n01g.pdfpdf_icon

WM03N115A

Document W0803083, Rev D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS D R

 9.2. Size:503K  way-on
wm03n32m.pdfpdf_icon

WM03N115A

WM03N32M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 3.2A DS D R

 9.3. Size:466K  way-on
wm03n06m.pdfpdf_icon

WM03N115A

WM03N06M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS D R

Другие MOSFET... WM03DN06D , WM03DN85A , WM03DP50A , WM03N01G , WM03N01H , WM03N01L , WM03N06M , WM03N09F , IRFP250 , WM03N32M , WM03N57M , WM03N58M , WM03N58M2 , WM03N86M2 , WM03P115R , WM03P27M , WM03P41M .

History: TPCL4203

 

 

 

 

↑ Back to Top
.