WM03N115A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WM03N115A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: SOP-8L
WM03N115A Datasheet (PDF)
wm03n115a.pdf

WM03N115A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDWM03N115A uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Dmaintain superior switching performance. S SFeatures SG V = 30V, I = 11.5A DS DSOP-8LR
wm03n01g.pdf

Document: W0803083, Rev: D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR
wm03n32m.pdf

WM03N32M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 3.2A DS DR
wm03n06m.pdf

WM03N06M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS DR
Другие MOSFET... WM03DN06D , WM03DN85A , WM03DP50A , WM03N01G , WM03N01H , WM03N01L , WM03N06M , WM03N09F , STF13NM60N , WM03N32M , WM03N57M , WM03N58M , WM03N58M2 , WM03N86M2 , WM03P115R , WM03P27M , WM03P41M .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569