WM03N115A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: WM03N115A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для WM03N115A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
WM03N115A даташит
wm03n115a.pdf
WM03N115A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D WM03N115A uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet D maintain superior switching performance. S S Features S G V = 30V, I = 11.5A DS D SOP-8L R
wm03n01g.pdf
Document W0803083, Rev D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS D R
wm03n32m.pdf
WM03N32M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 3.2A DS D R
wm03n06m.pdf
WM03N06M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS D R
Другие MOSFET... WM03DN06D , WM03DN85A , WM03DP50A , WM03N01G , WM03N01H , WM03N01L , WM03N06M , WM03N09F , IRFP250 , WM03N32M , WM03N57M , WM03N58M , WM03N58M2 , WM03N86M2 , WM03P115R , WM03P27M , WM03P41M .
History: TPCL4203
History: TPCL4203
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569











