Справочник MOSFET. WM03N115A

 

WM03N115A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM03N115A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8L
 

 Аналог (замена) для WM03N115A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM03N115A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:769K  way-on
 wm03n115a.pdf pdf_icon

WM03N115A

WM03N115A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDWM03N115A uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Dmaintain superior switching performance. S SFeatures SG V = 30V, I = 11.5A DS DSOP-8LR

 9.1. Size:2401K  way-on
 wm03n01g.pdf pdf_icon

WM03N115A

Document: W0803083, Rev: D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

 9.2. Size:503K  way-on
 wm03n32m.pdf pdf_icon

WM03N115A

WM03N32M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 3.2A DS DR

 9.3. Size:466K  way-on
 wm03n06m.pdf pdf_icon

WM03N115A

WM03N06M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM03DN06D , WM03DN85A , WM03DP50A , WM03N01G , WM03N01H , WM03N01L , WM03N06M , WM03N09F , STF13NM60N , WM03N32M , WM03N57M , WM03N58M , WM03N58M2 , WM03N86M2 , WM03P115R , WM03P27M , WM03P41M .

 

 
Back to Top

 


 
.