WM03P51A - описание и поиск аналогов

 

WM03P51A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WM03P51A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для WM03P51A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM03P51A даташит

 ..1. Size:966K  way-on
 wm03p51a.pdf pdf_icon

WM03P51A

WM03P51A 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D WM03P51A uses advanced power trench technology that has been D especially tailored to minimize the on-state resistance and yet D maintain superior switching performance. S S Features S G V = -30V, I = -5.1A DS D SOP-8L R

 8.1. Size:519K  way-on
 wm03p56m2.pdf pdf_icon

WM03P51A

WM03P56M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -30 V, I = -5.6A DS D R

 9.1. Size:538K  way-on
 wm03p41m2.pdf pdf_icon

WM03P51A

WM03P41M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS D R

 9.2. Size:561K  way-on
 wm03p41m.pdf pdf_icon

WM03P51A

WM03P41M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM03N58M2 , WM03N86M2 , WM03P115R , WM03P27M , WM03P41M , WM03P41M2 , WM03P42M , WM03P42M2 , STF13NM60N , WM03P56M2 , WM03P60M2 , WM03P91A , WM04N50M , WM04P50M , WM04P56M2 , WM05DP01D , WM05N02G .

History: BSZ014NE2LS5IF | BUK129-50DL

 

 

 

 

↑ Back to Top
.