Справочник MOSFET. WM03P51A

 

WM03P51A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM03P51A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8L
 

 Аналог (замена) для WM03P51A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM03P51A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:966K  way-on
 wm03p51a.pdf pdf_icon

WM03P51A

WM03P51A 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDWM03P51A uses advanced power trench technology that has been Despecially tailored to minimize the on-state resistance and yet Dmaintain superior switching performance. S SFeatures SG V = -30V, I = -5.1A DS DSOP-8LR

 8.1. Size:519K  way-on
 wm03p56m2.pdf pdf_icon

WM03P51A

WM03P56M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -30 V, I = -5.6A DS DR

 9.1. Size:538K  way-on
 wm03p41m2.pdf pdf_icon

WM03P51A

WM03P41M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS DR

 9.2. Size:561K  way-on
 wm03p41m.pdf pdf_icon

WM03P51A

WM03P41M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM03N58M2 , WM03N86M2 , WM03P115R , WM03P27M , WM03P41M , WM03P41M2 , WM03P42M , WM03P42M2 , IRF2807 , WM03P56M2 , WM03P60M2 , WM03P91A , WM04N50M , WM04P50M , WM04P56M2 , WM05DP01D , WM05N02G .

History: HM4618 | STP80N10F7 | IRFH5106PBF | IXFP102N15T | WM03P42M | STRH100N10 | AP2316GN-HF

 

 
Back to Top

 


 
.