WM05P01G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WM05P01G
Маркировка: B84
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.225 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.13 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 0.65 nC
Время нарастания (tr): 7 ns
Выходная емкость (Cd): 5.5 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3.5 Ohm
Тип корпуса: SOT323
WM05P01G Datasheet (PDF)
wm05p01g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WM05P01G P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.13A DS DR
wm05p01m.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WM05P01M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.13A DS DR
wm05p02m.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WM05P02M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.2A DS DR
wm05p02f.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Document: W0803414, Rev: A WM05P02F 1 P-Channel MOSFET Features V = -50V, I = -0.25A DS DGR
wm05p02g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WM05P02G P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.2A DS DR
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .