WM05P01M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WM05P01M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для WM05P01M
WM05P01M Datasheet (PDF)
wm05p01m.pdf
WM05P01M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.13A DS DR
wm05p01g.pdf
WM05P01G P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.13A DS DR
wm05p02m.pdf
WM05P02M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.2A DS DR
wm05p02f.pdf
Document: W0803414, Rev: A WM05P02F 1 P-Channel MOSFET Features V = -50V, I = -0.25A DS DGR
Другие MOSFET... WM04N50M , WM04P50M , WM04P56M2 , WM05DP01D , WM05N02G , WM05N02M , WM05N03M , WM05P01G , RU7088R , WM05P02F , WM05P02G , WM05P02M , WM05P20M , WM06DN03DE , WM06N03FB , WM06N03FE , WM06N03GE .
History: 2SK3513L | AP9467AGM-HF | SUP90P06-09L | CM18N50F | 2SK3766 | IRHMS57Z60 | CM18N20
History: 2SK3513L | AP9467AGM-HF | SUP90P06-09L | CM18N50F | 2SK3766 | IRHMS57Z60 | CM18N20
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent | 2sc945 transistor