WM06DN03DE - описание и поиск аналогов

 

WM06DN03DE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WM06DN03DE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: SOT363

Аналог (замена) для WM06DN03DE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM06DN03DE даташит

 ..1. Size:592K  way-on
wm06dn03de.pdfpdf_icon

WM06DN03DE

WM06DN03DE Dual N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS D R

Другие MOSFET... WM05N02M , WM05N03M , WM05P01G , WM05P01M , WM05P02F , WM05P02G , WM05P02M , WM05P20M , AON7403 , WM06N03FB , WM06N03FE , WM06N03GE , WM06N03HE , WM06N03LE , WM06N03M , WM06N30M , WM06N30MS .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.