WM06N03FE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WM06N03FE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.34 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 2.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 5.6 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: DFN1006-3
Аналог (замена) для WM06N03FE
WM06N03FE Datasheet (PDF)
wm06n03fe.pdf

WM06N03FE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A GDS DR
wm06n03fb.pdf

WM06N03FB N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 60V, I = 0.34A DS DDR
wm06n03ge.pdf

WM06N03GE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR
wm06n03le.pdf

WM06N03LE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR
Другие MOSFET... WM05P01G , WM05P01M , WM05P02F , WM05P02G , WM05P02M , WM05P20M , WM06DN03DE , WM06N03FB , AO3407 , WM06N03GE , WM06N03HE , WM06N03LE , WM06N03M , WM06N30M , WM06N30MS , WM06P17MR , WM10N02G .
History: AONP36332U | IRF7331PBF-1 | NTMFS4708NT1G | MSD30N06 | HCD60R900 | FTK50P03PDFN56
History: AONP36332U | IRF7331PBF-1 | NTMFS4708NT1G | MSD30N06 | HCD60R900 | FTK50P03PDFN56



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc945 transistor | c2073 transistor | ac176 transistor | mpsa20 | irfp264 | ksc2690 | bc546 datasheet | mpsa06 transistor