WM06N03HE - описание и поиск аналогов

 

WM06N03HE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WM06N03HE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: SOT723

Аналог (замена) для WM06N03HE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM06N03HE даташит

 ..1. Size:896K  way-on
 wm06n03he.pdf pdf_icon

WM06N03HE

WM06N03HE N-Channel Enhancement MOSFET Features D Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS D R

 7.1. Size:882K  way-on
 wm06n03ge.pdf pdf_icon

WM06N03HE

WM06N03GE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS D R

 7.2. Size:889K  way-on
 wm06n03le.pdf pdf_icon

WM06N03HE

WM06N03LE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS D R

 7.3. Size:824K  way-on
 wm06n03m.pdf pdf_icon

WM06N03HE

WM06N03M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM05P02F , WM05P02G , WM05P02M , WM05P20M , WM06DN03DE , WM06N03FB , WM06N03FE , WM06N03GE , MMIS60R580P , WM06N03LE , WM06N03M , WM06N30M , WM06N30MS , WM06P17MR , WM10N02G , WM10N02M , WM10N20M .

History: TK30A06N1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.