Справочник MOSFET. WM10N35M2

 

WM10N35M2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WM10N35M2
   Маркировка: 10N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 21 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для WM10N35M2

 

 

WM10N35M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:546K  way-on
 wm10n35m2.pdf

WM10N35M2 WM10N35M2

WM10N35M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.5A DS DR

 6.1. Size:557K  way-on
 wm10n35m3m.pdf

WM10N35M2 WM10N35M2

WM10N35M3M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.5A DS DR

 8.1. Size:855K  way-on
 wm10n33m.pdf

WM10N35M2 WM10N35M2

WM10N33M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.3A DS DR

 9.1. Size:480K  way-on
 wm10n20m.pdf

WM10N35M2 WM10N35M2

WM10N20M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 2A DS DR

 9.2. Size:324K  way-on
 wm10n02g.pdf

WM10N35M2 WM10N35M2

Document: W0803094, Rev: B WM10N02G G N-Channel MOSFET Features V = 100V, I = 0.2A DS DR

 9.3. Size:458K  way-on
 wm10n02m.pdf

WM10N35M2 WM10N35M2

WM10N02M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 0.2A DS DR

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top