WMB050N03LG4 - описание и поиск аналогов

 

WMB050N03LG4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMB050N03LG4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 475 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm

Тип корпуса: PDFN5060-8L

Аналог (замена) для WMB050N03LG4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB050N03LG4 даташит

 ..1. Size:639K  way-on
 wmb050n03lg4.pdf pdf_icon

WMB050N03LG4

WMB050N03LG4 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D WMB050N03LG4 uses Wayon's 4th generation power trench D D D D MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the G ss s ss on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G s This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN506

 9.1. Size:984K  way-on
 wmb053nv8hgs.pdf pdf_icon

WMB050N03LG4

WMB053NV8HGS 85V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D DD D WMB053NV8HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET D D technology that has been especially tailored to minimize the on-state G ss s ss resistance and yet maintain superior switching performance. This device G s is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5060-8L F

Другие MOSFET... WMB040N03LG2 , WMB040N08HGS , WMB042DN03LG2 , WMB043N10HGS , WMB043N10LGS , WMB048NV6HG4 , WMB048NV6LG4 , WMB049N12HG2 , 4435 , WMB053NV8HGS , WMB060N08HG2 , WMB060N08LG2 , WMB060N10HGS , WMB060N10LGS , WMB072N12HG2 , WMB072N12LG2-S , WMB080N03LG2 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.