Справочник MOSFET. WMB050N03LG4

 

WMB050N03LG4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMB050N03LG4
   Маркировка: 050N03L4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 475 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L

 Аналог (замена) для WMB050N03LG4

 

 

WMB050N03LG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:639K  way-on
 wmb050n03lg4.pdf

WMB050N03LG4 WMB050N03LG4

WMB050N03LG4 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDWMB050N03LG4 uses Wayon's 4th generation power trench DDD DMOSFET technology that has been especially tailored to minimize the Gssssson-state resistance and yet maintain superior switching performance. GsThis device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN506

 9.1. Size:984K  way-on
 wmb053nv8hgs.pdf

WMB050N03LG4 WMB050N03LG4

WMB053NV8HGS 85V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDWMB053NV8HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET D Dtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state Gsssssresistance and yet maintain superior switching performance. This device Gsis well suited for high efficiency fast switching applications.PDFN5060-8LF

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top