Справочник MOSFET. WMB072N12LG2-S

 

WMB072N12LG2-S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMB072N12LG2-S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 118 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 810 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L
 

 Аналог (замена) для WMB072N12LG2-S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB072N12LG2-S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:625K  way-on
 wmb072n12lg2-s.pdf pdf_icon

WMB072N12LG2-S

WMB072N12LG2-S 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDWMB072N12LG2-S uses Wayon's 2nd generation power trench D DMOSFET technology that has been especially tailored to minimize the GsssssGon-state resistance and yet maintain superior switching performance. sThis device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN

 5.1. Size:544K  way-on
 wmb072n12hg2.pdf pdf_icon

WMB072N12LG2-S

WMB072N12HG2 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDWMB072N12HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET DD Dtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state Gsssresistance and yet maintain superior switching performance. This ssGsdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5060

Другие MOSFET... WMB049N12HG2 , WMB050N03LG4 , WMB053NV8HGS , WMB060N08HG2 , WMB060N08LG2 , WMB060N10HGS , WMB060N10LGS , WMB072N12HG2 , 4435 , WMB080N03LG2 , WMB080N10LG2 , WMB090DN04LG2 , WMB090DNV6LG4 , WMB090N04LG2 , WMB090NV6LG4 , WMB093N15HG4 , WMB098N03LG2 .

 

 
Back to Top

 


 
.