Справочник MOSFET. WMB080N03LG2

 

WMB080N03LG2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMB080N03LG2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L
 

 Аналог (замена) для WMB080N03LG2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB080N03LG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:638K  way-on
 wmb080n03lg2.pdf pdf_icon

WMB080N03LG2

WMB080N03LG2 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDWMB080N03LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET DDD Dtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state Gssresistance and yet maintain superior switching performance. This sssGsdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5

 7.1. Size:674K  way-on
 wmb080n10lg2.pdf pdf_icon

WMB080N03LG2

WMB080N10LG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDWMB080N10LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET DDD Dtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state Gssresistance and yet maintain superior switching performance. This device sssGsis well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN

Другие MOSFET... WMB050N03LG4 , WMB053NV8HGS , WMB060N08HG2 , WMB060N08LG2 , WMB060N10HGS , WMB060N10LGS , WMB072N12HG2 , WMB072N12LG2-S , IRF530 , WMB080N10LG2 , WMB090DN04LG2 , WMB090DNV6LG4 , WMB090N04LG2 , WMB090NV6LG4 , WMB093N15HG4 , WMB098N03LG2 , WMB099N10HGS .

History: HM35P03 | IPD024N06N | CEF09N7G | FQH18N50V2 | DADMH056N090Z1B | CEP3120 | CEM3258

 

 
Back to Top

 


 
.