WMB175DN10LG4 - описание и поиск аналогов

 

WMB175DN10LG4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMB175DN10LG4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 142 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm

Тип корпуса: PDFN5060-8L

Аналог (замена) для WMB175DN10LG4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB175DN10LG4 даташит

 ..1. Size:986K  way-on
 wmb175dn10lg4.pdf pdf_icon

WMB175DN10LG4

WMB175DN10LG4 100V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D2 D1 D2 D1 WMB175DN10LG4 uses Wayon's 4th generation power trench D1 D2 D1 D2 MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the S1 G1 G2 on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S2 S2 G1 G2 S1 This device is well suited for high efficiency fast switchi

 8.1. Size:620K  way-on
 wmb175n10lg4.pdf pdf_icon

WMB175DN10LG4

WMB175N10LG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D DD D D D WMB175N10LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET G technology that has been especially tailored to minimize the on-state ss s ss G s resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN50

 8.2. Size:617K  way-on
 wmb175n10hg4.pdf pdf_icon

WMB175DN10LG4

WMB175N10HG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D DD D D D WMB175N10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET G technology that has been especially tailored to minimize the on-state ss s ss G s resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN50

Другие MOSFET... WMB115N15LG4 , WMB119N10LG2 , WMB119N12HG4 , WMB119N12LG4 , WMB120P06TS , WMB129N10T2 , WMB140NV6LG4 , WMB150N03TS , IRF520 , WMB175N10HG4 , WMB175N10LG4 , WMB190N15HG4 , WMB240P10HG4 , WMB26DN06TS , WMB26N06TS , WMB31430DN , WMB340N20HG2 .

History: AP65SL190DR

 

 

 

 

↑ Back to Top
.