WMB26DN06TS - описание и поиск аналогов

 

WMB26DN06TS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMB26DN06TS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: PDFN5060-8L

Аналог (замена) для WMB26DN06TS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB26DN06TS даташит

 ..1. Size:629K  way-on
 wmb26dn06ts.pdf pdf_icon

WMB26DN06TS

WMB26DN06TS 60V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D2 D1 D2 D1 D1 D2 D1 D2 WMB26DN06TS uses advanced power trench technology that has S1 been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet G1 G2 S2 S2 G1 G2 maintain superior switching performance. S1 PDFN5060-8L Features V = 60V, I = 26A DS D R

 9.1. Size:644K  way-on
 wmb26n06ts.pdf pdf_icon

WMB26DN06TS

WMB26N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D WMB26N06TS uses advanced power trench technology that has D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet G ss maintain superior switching performance. s ss G s Features PDFN5060-8L V = 60V, I = 26A DS D R

Другие MOSFET... WMB129N10T2 , WMB140NV6LG4 , WMB150N03TS , WMB175DN10LG4 , WMB175N10HG4 , WMB175N10LG4 , WMB190N15HG4 , WMB240P10HG4 , 8N60 , WMB26N06TS , WMB31430DN , WMB340N20HG2 , WMB35P04T1 , WMB35P06TS , WMB40N04TS , WMB46N03T1 , WMB50P03TS .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.