WMB46N03T1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMB46N03T1
Маркировка: B46N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.8 nC
trⓘ - Время нарастания: 39 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: PDFN5060-8L
Аналог (замена) для WMB46N03T1
WMB46N03T1 Datasheet (PDF)
wmb46n03t1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WMB46N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DD DWMB46N03T1 uses advanced power trench technology that has D DDDbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Gyet maintain superior switching performance. ssss sGsFeatures PDFN5060-8L V = 30V, I = 46A DS DR
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
![WMB46N03T1](https://alltransistors.com/images/us.png)
![WMB46N03T1](https://alltransistors.com/images/es.png)
![WMB46N03T1](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100