Справочник MOSFET. WMB46N03T1

 

WMB46N03T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMB46N03T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB46N03T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:576K  way-on
 wmb46n03t1.pdf pdf_icon

WMB46N03T1

WMB46N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DD DWMB46N03T1 uses advanced power trench technology that has D DDDbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Gyet maintain superior switching performance. ssss sGsFeatures PDFN5060-8L V = 30V, I = 46A DS DR

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2SJ199 | STB12NK80Z | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | TPC8048-H

 

 
Back to Top

 


 
.