WMB46N03T1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WMB46N03T1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: PDFN5060-8L
Аналог (замена) для WMB46N03T1
WMB46N03T1 Datasheet (PDF)
wmb46n03t1.pdf

WMB46N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DD DWMB46N03T1 uses advanced power trench technology that has D DDDbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Gyet maintain superior switching performance. ssss sGsFeatures PDFN5060-8L V = 30V, I = 46A DS DR
Другие MOSFET... WMB240P10HG4 , WMB26DN06TS , WMB26N06TS , WMB31430DN , WMB340N20HG2 , WMB35P04T1 , WMB35P06TS , WMB40N04TS , MMIS60R580P , WMB50P03TS , WMB50P04TS , WMB510N15HG2 , WMB52N03T2 , WMB56N04T1 , WMB58N03T1 , WMB60P02TS , WMB60P03TA .
History: STW65N80K5 | BUK452-60B | HFP7N80 | TMD6N65G
History: STW65N80K5 | BUK452-60B | HFP7N80 | TMD6N65G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965