WMB50P04TS - описание и поиск аналогов

 

WMB50P04TS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMB50P04TS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: PDFN5060-8L

Аналог (замена) для WMB50P04TS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB50P04TS даташит

 ..1. Size:620K  way-on
 wmb50p04ts.pdf pdf_icon

WMB50P04TS

WMB50P04TS 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D WMB50P04TS uses advanced power trench technology that has D DD D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet G maintain superior switching performance. ss s ss G s Features V = - 40V, I = - 50A DS D PDFN5060-8L R

 7.1. Size:622K  way-on
 wmb50p03ts.pdf pdf_icon

WMB50P04TS

WMB50P03TS 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB50P03TS uses advanced power trench technology that has D D D D D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet G maintain superior switching performance. ss s ss G s Features PDFN5060-8L V = -30V, I = -50A DS D R

Другие MOSFET... WMB26N06TS , WMB31430DN , WMB340N20HG2 , WMB35P04T1 , WMB35P06TS , WMB40N04TS , WMB46N03T1 , WMB50P03TS , IRFZ46N , WMB510N15HG2 , WMB52N03T2 , WMB56N04T1 , WMB58N03T1 , WMB60P02TS , WMB60P03TA , WMB690N15HG2 , WMB70N04T1 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.