Справочник MOSFET. WMK099N10LG2

 

WMK099N10LG2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMK099N10LG2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0099 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для WMK099N10LG2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMK099N10LG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:443K  way-on
 wmk099n10lg2.pdf pdf_icon

WMK099N10LG2

WMK099N10LG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK099N10LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. SFeatures DGTO-220 V = 100V, I = 65

 3.1. Size:610K  way-on
 wmk099n10lgs.pdf pdf_icon

WMK099N10LG2

WMK099N10LGS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK099N10LGS uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. SDGFeatures TO-220 V = 100V, I =

 5.1. Size:542K  way-on
 wmk099n10hgs.pdf pdf_icon

WMK099N10LG2

WMK099N10HGS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK099N10HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. SDGFeatures TO-220 V = 100V, I = 68A

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.