Справочник MOSFET. WMK220N20HG3

 

WMK220N20HG3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMK220N20HG3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMK220N20HG3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:606K  way-on
 wmk220n20hg3.pdf pdf_icon

WMK220N20HG3

WMK220N20HG3 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK220N20HG3 uses Wayon's 3nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. SDFeatures GTO-220 V = 200V, I =

 9.1. Size:671K  way-on
 wmn22n50c4 wmm22n50c4 wmj22n50c4 wmo22n50c4 wmk22n50c4 wml22n50c4.pdf pdf_icon

WMK220N20HG3

WMN22N50C4, WMM22N MJ22N50CN50C4, WM C4 WMO22N50C4, WMK22N ML22N50CN50C4, WM C4 500V n Power MOSFETV 0.22 Super JunctionDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G and low ga charge performanc WMOSTM C4

Другие MOSFET... WMK175N10LG4 , WMK180N03TS , WMK18N50D1B , WML18N50D1B , WMJ18N50D1B , WMK18P10TS , WMK190N03TS , WMK190N15HG4 , EMB04N03H , WMK25N06TS , WMK25N10T1 , WMK28N15T2 , WMK340N20HG2 , WMK4N90D1B , WML4N90D1B , WMM4N90D1B , WMK50N06TS .

 

 
Back to Top

 


 
.