WML6N90D1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WML6N90D1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 181 ns
Выходная емкость (Cd): 123 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2 Ohm
Тип корпуса: TO220F
WML6N90D1 Datasheet (PDF)
wmk6n90d1 wml6n90d1 wmm6n90d1.pdf
WMK6N90D1 WML6N90D1 WMM6N90D1900V 6A 1.7 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-263TO-220 TO-220FWMOSTM D1 is Wayons 1st generationTABVDMOS family that is dramatic reductionin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerdensity and high efficiency. And it is veryrobust and RoHS compliant.DGG GDDS SSFeatures Typ.R =1.7@V =
wml6n100d1.pdf
WML6N100D1 1000V 6A 2.1 N-ch Power MOSFET Description TO-220F WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. Features G V =1050V@T DS jmaxD S Typ.R =2.1@V =10V DS(on)
wmo6n80d1 wml6n80d1.pdf
WMO6N80D1 WML6N80D1800V 6A 2.5 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-220FTO-252WMOSTM D1 is Wayons 1st generationVDMOS family that is dramatic reductionTABin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerdensity and high efficiency. And it is veryDGGrobust and RoHS compliant.DSSFeatures Typ.R =2.5@V =10VDS(on) GS 100%
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
