Справочник MOSFET. STM4472

 

STM4472 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STM4472
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STM4472 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:140K  samhop
stm4472.pdfpdf_icon

STM4472

GreenProductS TM4472S amHop Microelectronics C orp.Jan.7 ,2008 ver1.0N- Channel nhancement Mode Field Effect ransistorE TF E ATUR E SPR ODUC T S UMMAR YS uper high dense cell design for low R DS (ON).ID R DS (ON) ( m ) MaxVDS SR ugged and reliable.24 @ VG S = 10VS urface Mount Package.40V 7 A30 @ VG S = 4.5VE S D Protected.S O-81ABS OLUTE MAXIMUM R

 8.1. Size:117K  samhop
stm4470a.pdfpdf_icon

STM4472

STM4470ASamHop Microelectronics Corp.May, 10 2007N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorF E ATUR E SPRODUCT SUMMARYS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDSS ID RDS(ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.10.5 @ VGS = 10V40V 10AS urface Mount Package.13.5 @ VGS = 4.5VE S D Protected.SO-81ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise note

 8.2. Size:116K  samhop
stm4470e.pdfpdf_icon

STM4472

STM4470ESamHop Microelectronics Corp.May. 15 2007 ver1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorF E ATUR E SPRODUCT SUMMARYS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDSS ID RDS(ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.12 @ VGS = 10V40V 9.5AS urface Mount Package.15 @ VGS = 4.5VE S D Protected.SO-81ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise

 8.3. Size:137K  samhop
stm4470.pdfpdf_icon

STM4472

GreenProductSTM4470SamHop Microelectronics Corp.Oct. 16. 2006 Ver1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRODUCT SUMMARY FEATURESdSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) ( m ) MaxRugged and reliable.10 @ VGS = 10V40V 10ASurface Mount Package.13 @ VGS = 4.5VSO-81ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise noted)Para

Другие MOSFET... FDP8880 , STK400 , FDP8896 , STK103 , FDP8N50NZ , FDPF10N50FT , FDPF10N50UT , FDPF10N60NZ , STP65NF06 , FDPF10N60ZUT , STG8209 , FDPF12N50FT , FDPF12N50NZ , FDPF12N50T , FDPF12N50UT , FDPF12N60NZ , STG8205 .

History: GSM3407AS | HAT1127H | JCS8N60VC | SM4029NSU | OSG60R180PSF | FDP047AN08A0 | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.