Справочник MOSFET. WMP06N80M3

 

WMP06N80M3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMP06N80M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для WMP06N80M3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMP06N80M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:673K  way-on
 wml06n80m3 wmn06n80m3 wmm06n80m3 wmo06n80m3 wmp06n80m3 wmk06n80m3.pdf pdf_icon

WMP06N80M3

WML06N80M3, W 80M3, WM M3 WMN06N8 MM06N80MWMO0 80M3, WM M3 06N80M3, WMP06N8 MK06N80M 800 Junction ET0V 1.8 Super J n Power MOSFEDescripptionWMOSTM M3 is Wayo neration 800M ons 3rd gen 0V super junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance D echnology fo y low on-re S S G D D GG G Tand low ga charge perf

Другие MOSFET... WMO05N80M3 , WMP05N80M3 , WMK05N80M3 , WML060N10HGS , WML06N80M3 , WMN06N80M3 , WMM06N80M3 , WMO06N80M3 , TK10A60D , WMK06N80M3 , WML071N15HG2 , WML07N100C2 , WMN07N100C2 , WMM07N100C2 , WMJ07N100C2 , WMO07N100C2 , WMP07N100C2 .

History: HYG035N10NS2B | STB75NF75T4

 

 
Back to Top

 


 
.