WMN10N100C2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMN10N100C2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для WMN10N100C2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMN10N100C2 даташит

 ..1. Size:677K  way-on
 wml10n100c2 wmn10n100c2 wmm10n100c2 wmj10n100c2 wmo10n100c2 wmp10n100c2 wmk10n100c2.pdf pdf_icon

WMN10N100C2

WM 2, WMN10N MM10N100C ML10N100C2 N100C2, WM C2 WMJ10N100C2, WM C2, WMP10N MK10N100C MO10N100C N100C2, WM C2 1000V 1.1 S T 0 Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C2 is Wa 2nd generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance D echnology fo y low on-re S S G D D G G G and low ga

 6.1. Size:678K  way-on
 wml10n105c2 wmn10n105c2 wmm10n105c2 wmj10n105c2 wmo10n105c2 wmp10n105c2 wmk10n105c2.pdf pdf_icon

WMN10N100C2

WM 2, WMN10N MM10N105C ML10N105C2 N105C2, WM C2 WMJ10N105C2, WM C2, WMP10N MK10N105C MO10N105C N105C2, WM C2 1050V 1.1 S T 0 Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C2 is Wa 2nd generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance D echnology fo y low on-re S S G D D G G G and low ga

 8.1. Size:1319K  samwin
 swf10n65d swmn10n65d swy10n65d swp10n65d swu10n65d swj10n65d.pdf pdf_icon

WMN10N100C2

SW10N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF/TO-220FT/TO-220/TO-262/TO-262N MOSFET Features TO-262 TO-262N TO-220F TO-220SF TO-220FT TO-220 BVDSS 650V High ruggedness ID 10A Low RDS(ON) (Typ 0.9 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 35nC) RDS(ON) 0.9 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 Application UPS,Inverter, 1 1 1 2 2 1 1 1

 8.2. Size:1328K  samwin
 swp10n65k swf10n65k swn10n65k swd10n65k swu10n65k swmn10n65k.pdf pdf_icon

WMN10N100C2

SW10N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-251N /TO-252/ TO-262/TO-220SF MOSFET Features TO-220F TO-251N TO-262 TO-220 TO-252 TO-220SF BVDSS 650V High ruggedness ID 10A Low RDS(ON) (Typ 0.36 )@VGS=10V RDS(ON) 0.36 Low Gate Charge (Typ29nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 Applicatio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... WMN08N80M3, WMM08N80M3, WMO08N80M3, WMP08N80M3, WMK08N80M3, WML099N10HGS, WML100N07TS, WML10N100C2, 7N60, WMM10N100C2, WMJ10N100C2, WMO10N100C2, WMP10N100C2, WMK10N100C2, WML10N105C2, WMN10N105C2, WMM10N105C2