WMO14N60C4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMO14N60C4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 21.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WMO14N60C4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO14N60C4 даташит

 ..1. Size:670K  way-on
 wml14n60c4 wmk14n60c4 wmm14n60c4 wmn14n60c4 wmp14n60c4 wmo14n60c4.pdf pdf_icon

WMO14N60C4

WML1 MM14N60C 14N60C4, WMK14N60C4, WM C4 WMN14N60C4, WMP14N60C4, WM C4 MO14N60C 600V n Power MOSFET V 0.33 Super Junction Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re D S D G G G S D G and low ga charge performanc WMOSTM C4

 7.1. Size:672K  way-on
 wml14n65c4 wmk14n65c4 wmm14n65c4 wmn14n65c4 wmp14n65c4 wmo14n65c4.pdf pdf_icon

WMO14N60C4

WML1 MM14N65C 14N65C4, WMK14N65C4, WM C4 WMN14N65C4, WMP14N65C4, WM C4 MO14N65C 650V n Power MOSFET V 0.33 Super Junction Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re D S D G G G S D G and low ga charge performanc WMOSTM C4

 8.1. Size:672K  way-on
 wml14n70c4 wmk14n70c4 wmm14n70c4 wmn14n70c4 wmp14n70c4 wmo14n70c4.pdf pdf_icon

WMO14N60C4

WML1 MM14N70C 14N70C4, WMK14N70C4, WM C4 WMN14N70C4, WMP14N70C4, WM C4 MO14N70C 700V n Power MOSFET V 0.33 Super Junction Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re D S D G G G S D G and low ga charge performanc WMOSTM C4

 9.1. Size:993K  way-on
 wmo140nv6lg4.pdf pdf_icon

WMO14N60C4

WMO140NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO140NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This D S device is well suited for high efficiency fast switching applications. G TO-252 Features V = 65V, I = 50

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... WMO13N80M3, WMP13N80M3, WMK13N80M3, WML14N60C4, WMK14N60C4, WMM14N60C4, WMN14N60C4, WMP14N60C4, 7N60, WML14N65C4, WMK14N65C4, WMM14N65C4, WMN14N65C4, WMP14N65C4, WMO14N65C4, WML14N70C4, WMK14N70C4