Справочник MOSFET. B20N15D

 

B20N15D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: B20N15D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для B20N15D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

B20N15D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2979K  1
 b20n15d.pdf pdf_icon

B20N15D

 9.1. Size:174K  onsemi
 ngtb20n120ihl.pdf pdf_icon

B20N15D

NGTB20N120IHLWGIGBTThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust andcost effective Field Stop (FS) Trench construction, and providessuperior performance in demanding switching applications, offeringboth low on-state voltage and minimal switching loss. The IGBT iswell suited for resonant or soft switching applications. Incorporatedhttp://onsemi.cominto the devic

 9.2. Size:176K  onsemi
 ngtb20n120lwg.pdf pdf_icon

B20N15D

NGTB20N120LWGIGBTThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust andcost effective Field Stop (FS) Trench construction, and providessuperior performance in demanding switching applications, offeringboth low on-state voltage and minimal switching loss. The IGBT iswell suited for resonant or soft switching applications. Incorporatedhttp://onsemi.cominto the device

 9.3. Size:182K  onsemi
 ngtb20n120ihswg.pdf pdf_icon

B20N15D

NGTB20N120IHSWGIGBTThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust andcost effective Field Stop (FS) Trench construction, and providessuperior performance in demanding switching applications, offeringboth low on-state voltage and minimal switching loss. The IGBT iswell suited for resonant or soft switching applications. Incorporatedhttp://onsemi.cominto the devic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WML26N65SR , WMK26N65SR , WMN26N65SR , WMM26N65SR , WMJ26N65SR , WML28N50C4 , WMK28N50C4 , WMN28N50C4 , IRF540N , DG4N60 , CS55N25A8R-G , CS55N25AKR , WMM28N50C4 , WMJ28N50C4 , WML28N60F2 , WMK28N60F2 , WMN28N60F2 .

History: SFW1800N650C2 | NCE1220SP | IRF9130SMD

 

 
Back to Top

 


 
.