WMJ28N50C4. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: WMJ28N50C4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для WMJ28N50C4
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
WMJ28N50C4 даташит
wml28n50c4 wmk28n50c4 wmn28n50c4 wmm28n50c4 wmj28n50c4.pdf
WML28N5 WM C4 50C4, MK28N50C WMN2 MJ28N50C 28N50C4, WMM28N50C4, WM C4 500V 0.1 S T Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G and low ga charge performanc WMOSTM C4 is ate ce.
wml28n65f2 wmk28n65f2 wmn28n65f2 wmm28n65f2 wmj28n65f2.pdf
WML28N65F2, WM F2 MK28N65F WMN2 N65F2, WM F2 28N65F2, WMM28N MJ28N65F 650V 0.15 S T V Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM F2 is Wa 2nd generation super ayon s junction MOSFET fam with fa body di F2 M mily ast iode. S series pro all benefits of a fast switching ovide b f s S D D G G G S D G SJ-MOSFE while of an extremely fa body ET fferin
wml28n60c4 wmk28n60c4 wmn28n60c4 wmm28n60c4 wmj28n60c4.pdf
WML28N6 WM C4 60C4, MK28N60C WMN2 MJ28N60C 28N60C4, WMM28N60C4, WM C4 600V 0.13 S T V Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G and low ga charge performanc WMOSTM C4 is ate c
wml28n65c4 wmk28n65c4 wmn28n65c4 wmm28n65c4 wmj28n65c4.pdf
WML28N6 WM C4 65C4, MK28N65C WMN2 MJ28N65C 28N65C4, WMM28N65C4, WM C4 650V 0.13 S T V Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G and low ga charge performanc WMOSTM C4 is ate c
Другие MOSFET... WML28N50C4 , WMK28N50C4 , WMN28N50C4 , B20N15D , DG4N60 , CS55N25A8R-G , CS55N25AKR , WMM28N50C4 , IRF1404 , WML28N60F2 , WMK28N60F2 , WMN28N60F2 , WMM28N60F2 , WMJ28N60F2 , WML28N65C4 , WMK28N65C4 , WMN28N65C4 .
History: VN0340N1 | WM02DN110C
History: VN0340N1 | WM02DN110C
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor





