Справочник MOSFET. WMM4N90D1

 

WMM4N90D1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMM4N90D1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для WMM4N90D1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMM4N90D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1980K  way-on
 wml4n90d1 wmk4n90d1 wmm4n90d1.pdf pdf_icon

WMM4N90D1

WML4N90D1WMK4N90D1 WMM4N90D1900V 4A 2.9 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-220F TO-220 TO-263WMOSTM D1 is Wayons 1st generationTABVDMOS family that is dramatic reduction TABin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerdensity and high efficiency. And it is veryDGrobust and RoHS compliant.GDSGSDSFeatures Typ.R =2.9

 0.1. Size:1434K  way-on
 wmk4n90d1b wml4n90d1b wmm4n90d1b.pdf pdf_icon

WMM4N90D1

WMK4N90D1B WML4N90D1B WMM4N90D1B 900V 4A 1.85 N-ch Power MOSFET Description TO-263 TO-220 TO-220F WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOS TAB TAB family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. D And it is very robust and RoHS compliant. G G S D S G D S

Другие MOSFET... WML36N65F2 , WMK36N65F2 , WMN36N65F2 , WMM36N65F2 , WMJ36N65F2 , WML4N100D1 , WML4N90D1 , WMK4N90D1 , P0903BDG , WML50P04TS , WML53N60C4 , WMK53N60C4 , WMN53N60C4 , WMM53N60C4 , WMJ53N60C4 , WML53N60F2 , WMK53N60F2 .

History: NCE60P50 | PHP73N06T | 2N7002KTB | FDZ7296 | SM6F02NSFP | CTLDM8002A-M621 | JCS620CT

 

 
Back to Top

 


 
.