Справочник MOSFET. WMN53N65F2

 

WMN53N65F2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMN53N65F2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 58 nC
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm
   Тип корпуса: TO262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMN53N65F2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:669K  way-on
 wml53n65f2 wmk53n65f2 wmn53n65f2 wmm53n65f2 wmj53n65f2.pdf pdf_icon

WMN53N65F2

WML53N MK53N65FN65F2, WM F2 WMN , WMM53N MJ53N65FN53N65F2, N65F2, WM F2 650V 0.062 S0 Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM F2 is Wa 2nd generation super ayons n junction MOSFET fam with fa body di F2 M mily ast iode. S series pro all benefits of a fast switching ovide b f sS D D G GG S D G SJ-MOSFE while of an extremely fa body ET f

 6.1. Size:670K  way-on
 wml53n65c4 wmk53n65c4 wmn53n65c4 wmm53n65c4 wmj53n65c4.pdf pdf_icon

WMN53N65F2

WML53N MK53N65CN65C4, WM C4 WMN53N65C4, WMM53N MJ53N65CN65C4, WM C4 650V 0.06 S unction Power M TSuper Ju MOSFETDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G and low ga charge performanc WMOSTM C4 is ate

 7.1. Size:668K  way-on
 wml53n60c4 wmk53n60c4 wmn53n60c4 wmm53n60c4 wmj53n60c4.pdf pdf_icon

WMN53N65F2

WML53N MK53N60CN60C4, WM C4 WMN53N60C4, WMM53N MJ53N60CN60C4, WM C4 600V 0.06 S unction Power M TSuper Ju MOSFETDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G and low ga charge performanc WMOSTM C4 is ate

 7.2. Size:668K  way-on
 wml53n60f2 wmk53n60f2 wmn53n60f2 wmm53n60f2 wmj53n60f2.pdf pdf_icon

WMN53N65F2

WML53N MK53N60FN60F2, WM F2 WMN , WMM53N MJ53N60FN53N60F2, N60F2, WM F2 600V 0.062 S0 Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM F2 is Wa 2nd generation super ayons n junction MOSFET fam with fa body di F2 M mily ast iode. S series pro all benefits of a fast switching ovide b f sS D D G GG S D G SJ-MOSFE while of an extremely fa body ET f

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.