WML7N80D1 - описание и поиск аналогов

 

WML7N80D1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WML7N80D1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для WML7N80D1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WML7N80D1 даташит

 ..1. Size:1158K  way-on
 wml7n80d1.pdf pdf_icon

WML7N80D1

WML7N80D1 800V 7A 1.4 N-ch Power MOSFET Description TO-220F WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G D Features S Typ.R =1.4 @V =10V DS(on) GS 100% avalanche tested

 9.1. Size:1960K  way-on
 wmk7n65d1b wmh7n65d1b wml7n65d1b wmo7n65d1b.pdf pdf_icon

WML7N80D1

WMK7N65D1B WMH7N65D1B WML7N65D1B WMO7N65D1B 650V 7A 1.12 N-ch Power MOSFET Description TO-220 TO-220F TAB WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power G G D D S S density and high efficiency. And it is very TO-251-L3.5 TO-252 robust and RoHS compliant. TAB TAB

Другие MOSFET... WMM53N65C4 , WMJ53N65C4 , WML53N65F2 , WMK53N65F2 , WMN53N65F2 , WMM53N65F2 , WMJ53N65F2 , WML6N100D1 , IRFZ46N , WML80R160S , WMK80R160S , WMN80R160S , WMM80R160S , WMJ80R160S , WML80R260S , WMK80R260S , WMN80R260S .

History: AOCR35101E | MMBF4391

 

 

 

 

↑ Back to Top
.