FDPF6N60ZUT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDPF6N60ZUT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 33.8 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для FDPF6N60ZUT
FDPF6N60ZUT Datasheet (PDF)
fdp6n60zu fdpf6n60zut.pdf
April 2009UniFETTMFDP6N60ZU / FDPF6N60ZUTN-Channel MOSFET, FRFET 600V, 4.5A, 2Features Description RDS(on) = 1.7 ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 2.25A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 14.5nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 5pF)This advanced technology
fdpf680n10t.pdf
November 2008FDPF680N10TN-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 12A, 68mFeatures Description RDS(on) = 54m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 6A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon-ductors advanced PowerTrench process that has been espe- Fast Switching Speed cially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performanc
fdpf680n10t.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FDPF680N10TFEATURESWith TO-220F packagingDrain Source Voltage-: V 100VDSSStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 68m@V =10VGS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
