WMM95P06TS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMM95P06TS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 162.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для WMM95P06TS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMM95P06TS даташит

 ..1. Size:682K  way-on
 wmm95p06ts.pdf pdf_icon

WMM95P06TS

WMM95P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM95P06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D Features G S V = -60V, I = -95A DS D TO-263 R

Другие IGBT... WMO80R720S, WMM90N08TS, WMM90R1K5S, WMN90R1K5S, WMK90R1K5S, WML90R1K5S, WMP90R1K5S, WMO90R1K5S, IRFB3607, WMMB020N10HG4, WMN22N50C4, WMM22N50C4, WMJ22N50C4, WMO22N50C4, WMK22N50C4, WML22N50C4, WMO030N06HG4