Справочник MOSFET. WMM95P06TS

 

WMM95P06TS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMM95P06TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 162.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для WMM95P06TS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMM95P06TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:682K  way-on
 wmm95p06ts.pdf pdf_icon

WMM95P06TS

WMM95P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMM95P06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DFeatures GS V = -60V, I = -95A DS D TO-263R

Другие MOSFET... WMO80R720S , WMM90N08TS , WMM90R1K5S , WMN90R1K5S , WMK90R1K5S , WML90R1K5S , WMP90R1K5S , WMO90R1K5S , AON7506 , WMMB020N10HG4 , WMN22N50C4 , WMM22N50C4 , WMJ22N50C4 , WMO22N50C4 , WMK22N50C4 , WML22N50C4 , WMO030N06HG4 .

History: IRFI4020H-117P | FDP023N08B | APM6055NU | 2SK4227JS | CS5N20A3 | SRC60R017FBT4G | RU30110M

 

 
Back to Top

 


 
.