WMM95P06TS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMM95P06TS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 162.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 95 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 58.4 nC
Время нарастания (tr): 3.3 ns
Выходная емкость (Cd): 670 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.011 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для WMM95P06TS
WMM95P06TS Datasheet (PDF)
..1. Size:682K way-on
wmm95p06ts.pdf
wmm95p06ts.pdf
WMM95P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMM95P06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DFeatures GS V = -60V, I = -95A DS D TO-263R
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
