Справочник MOSFET. WMM95P06TS

 

WMM95P06TS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMM95P06TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 162.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMM95P06TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:682K  way-on
 wmm95p06ts.pdf pdf_icon

WMM95P06TS

WMM95P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMM95P06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DFeatures GS V = -60V, I = -95A DS D TO-263R

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NP48N055NHE | STB18NF25 | WMM15N65F2 | NTMD6P02R2 | RJK0323JPD | SWD3N80D | SLW18N50C

 

 
Back to Top

 


 
.