WMMB020N10HG4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: WMMB020N10HG4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 277.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 238 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: TO263-7L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам