WMMB020N10HG4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMMB020N10HG4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 277.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 238 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: TO263-7L

Аналог (замена) для WMMB020N10HG4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMMB020N10HG4 даташит

 ..1. Size:1093K  way-on
 wmmb020n10hg4.pdf pdf_icon

WMMB020N10HG4

Другие IGBT... WMM90N08TS, WMM90R1K5S, WMN90R1K5S, WMK90R1K5S, WML90R1K5S, WMP90R1K5S, WMO90R1K5S, WMM95P06TS, AON6380, WMN22N50C4, WMM22N50C4, WMJ22N50C4, WMO22N50C4, WMK22N50C4, WML22N50C4, WMO030N06HG4, WMO030N06LG4