Справочник MOSFET. WMMB020N10HG4

 

WMMB020N10HG4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMMB020N10HG4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 277.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 238 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 123.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: TO263-7L

 Аналог (замена) для WMMB020N10HG4

 

 

WMMB020N10HG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1093K  way-on
 wmmb020n10hg4.pdf

WMMB020N10HG4 WMMB020N10HG4

WMMB020N10HG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMMB020N10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the Don-state resistance and yet maintain superior switching performance. SSSSSThis device is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-263-7LFeatures

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top