Справочник MOSFET. WMMB020N10HG4

 

WMMB020N10HG4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMMB020N10HG4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 277.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 238 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: TO263-7L
 

 Аналог (замена) для WMMB020N10HG4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMMB020N10HG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1093K  way-on
 wmmb020n10hg4.pdf pdf_icon

WMMB020N10HG4

WMMB020N10HG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMMB020N10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the Don-state resistance and yet maintain superior switching performance. SSSSSThis device is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-263-7LFeatures

Другие MOSFET... WMM90N08TS , WMM90R1K5S , WMN90R1K5S , WMK90R1K5S , WML90R1K5S , WMP90R1K5S , WMO90R1K5S , WMM95P06TS , IRLZ44N , WMN22N50C4 , WMM22N50C4 , WMJ22N50C4 , WMO22N50C4 , WMK22N50C4 , WML22N50C4 , WMO030N06HG4 , WMO030N06LG4 .

History: FCH041N60F | IRFP3703PBF | WMO090NV6HG4 | ME04N25-G | HAT3040R | SW2N60D

 

 
Back to Top

 


 
.