Справочник MOSFET. WMO048NV6LG4

 

WMO048NV6LG4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMO048NV6LG4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 658 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для WMO048NV6LG4

 

 

WMO048NV6LG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:658K  way-on
 wmo048nv6lg4.pdf

WMO048NV6LG4 WMO048NV6LG4

WMO048NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO048NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the Don-state resistance and yet maintain superior switching performance. SThis device is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 65V, I = 90

 5.1. Size:659K  way-on
 wmo048nv6hg4.pdf

WMO048NV6LG4 WMO048NV6LG4

WMO048NV6HG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO048NV6HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the Don-state resistance and yet maintain superior switching performance. SThis device is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 65V, I = 90

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top