STF2458A - описание и поиск аналогов

 

STF2458A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STF2458A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.67 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 24 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 274 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TDFN2X5

Аналог (замена) для STF2458A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STF2458A даташит

 ..1. Size:87K  samhop
stf2458a.pdfpdf_icon

STF2458A

Gree r r P Pr Pr Pro STF2458A a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 10.0 @ VGS=4.5V Suface Mount Package. 10.5 @ VGS=4.0V 24V 10A 11.0 @ VGS=3.7V ESD Protected. 12.0 @ VGS=3.1V 15.5 @ VGS=2.5V Bott

 7.1. Size:100K  samhop
stf2458.pdfpdf_icon

STF2458A

Green Product STF2458 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 9.5 @ VGS=4.5V Suface Mount Package. 10.2 @ VGS=4.0V 24V 10A 10.4 @ VGS=3.7V ESD Protected. 11.5 @ VGS=3.1V 14.0 @ VGS=2.5V G2 Bottom Drain

 8.1. Size:96K  samhop
stf2459a.pdfpdf_icon

STF2458A

Green Product STF2459A a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 6.2 @ VGS=10V Suface Mount Package. 7.5 @ VGS=4.5V ESD Protected. 8.0 @ VGS=4.0V 24V 12A 8.6 @ VGS=3.7V 10.3 @ VGS=3.1V 16.3 @ VGS=2.5V

 8.2. Size:92K  samhop
stf2456.pdfpdf_icon

STF2458A

Gree r r P Pr Pr Prod STF2456 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 18.5 @ VGS=4.5V Suface Mount Package. 20.0 @ VGS=4.0V 24V 7.0A 20.5 @ VGS=3.7V ESD Protected. 22.5 @ VGS=3.1V 28.0 @ VGS=2.5V G2

Другие MOSFET... FDPF7N60NZ , STF443 , FDPF8N50NZ , FDPF8N50NZF , FDPF8N50NZU , FDPF8N60ZUT , STF2459A , FDQ7236AS , IRFP260 , FDQ7238AS , STF2458 , FDS2572 , FDS2582 , FDS2670 , STF2456 , FDS2672 , STF2455 .

History: ISCNL256N | WMQ25P04T1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.