WMO15N25T2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMO15N25T2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.238 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WMO15N25T2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO15N25T2 даташит

 ..1. Size:511K  way-on
 wmo15n25t2.pdf pdf_icon

WMO15N25T2

WMO15N25T2 250V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO15N25T2 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D S Features G TO-252 V = 250V, I = 15A DS D R

 8.1. Size:666K  way-on
 wml15n60c4 wmk15n60c4 wmm15n60c4 wmn15n60c4 wmp15n60c4 wmo15n60c4.pdf pdf_icon

WMO15N25T2

WML1 MM15N60C 15N60C4, WMK15N60C4, WM C4 WMN15N60C4, WMP15N60C4, WM C4 MO15N60C 600V n Power MOSFET V 0.26 Super Junction Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re D S D G G G S D G and low ga charge performanc WMOSTM C4

 8.2. Size:669K  way-on
 wml15n65c4 wmk15n65c4 wmm15n65c4 wmn15n65c4 wmp15n65c4 wmo15n65c4.pdf pdf_icon

WMO15N25T2

WML1 MM15N65C 15N65C4, WMK15N65C4, WM C4 WMN15N65C4, WMP15N65C4, WM C4 MO15N65C 650V n Power MOSFET V 0.26 Super Junction Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re D S D G G G S D G and low ga charge performanc WMOSTM C4

 8.3. Size:436K  way-on
 wmo15n10t1.pdf pdf_icon

WMO15N25T2

WMO15N10T1 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO15N10T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet D maintain superior switching performance. S G Features TO-252 V = 100V, I = 14.6A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... WMO12P06TS, WMO13N10TS, WMO13P06T1, WMO13P10TS, WMO140NV6LG4, WMO15N10T1, WMO15N12TS, WMO15N15T1, IRFZ48N, WMO175N10HG4, WMO175N10LG4, WMO18N20T2, WMO18P10TS, WMO190N03TS, WMO190N15HG4, WMO20N15T2, WMO20P04T1