WMO25N10T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMO25N10T1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 61.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WMO25N10T1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO25N10T1 даташит

 ..1. Size:449K  way-on
 wmo25n10t1.pdf pdf_icon

WMO25N10T1

WMO25N10T1 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO25N10T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain D superior switching performance. S G Features TO-252 V = 100V, I = 25A DS D R

 8.1. Size:677K  way-on
 wml25n50c4 wmo25n50c4 wmk25n50c4 wmn25n50c4 wmm25n50c4 wmj25n50c4.pdf pdf_icon

WMO25N10T1

WML25N50C4, WMO25N5 WM C4 W 50C4, MK25N50C WMN2 MJ25N50C 25N50C4, WMM25N50C4, WM C4 500V 0.125 S 0 Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G and low ga charge performanc WMOSTM

 8.2. Size:628K  way-on
 wmo25n06ts.pdf pdf_icon

WMO25N10T1

WMO25N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO25N06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain D superior switching performance. S G Features TO-252 V = 60V, I = 25A DS D R

 9.1. Size:598K  way-on
 wmo25p03ts.pdf pdf_icon

WMO25N10T1

WMO25P03TS 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO25P03TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D S Features G V = -30V, I = -25A DS D TO-252 R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... WMO18P10TS, WMO190N03TS, WMO190N15HG4, WMO20N15T2, WMO20P04T1, WMO20P15TS, WMO240N10LG2, WMO25N06TS, AO4407A, WMO25P03TS, WMO25P04TS, WMO25P06T1, WMO28N15T2, WMO2N100D1, WMAA2N100D1, WMO30P03TS, WMO30P10TS