WMO28N15T2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WMO28N15T2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для WMO28N15T2
WMO28N15T2 Datasheet (PDF)
wmo28n15t2.pdf

WMO28N15T2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO28N15T2 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DSFeatures G V = 150V, I = 28A DS DTO-252R
Другие MOSFET... WMO20P04T1 , WMO20P15TS , WMO240N10LG2 , WMO25N06TS , WMO25N10T1 , WMO25P03TS , WMO25P04TS , WMO25P06T1 , BS170 , WMO2N100D1 , WMAA2N100D1 , WMO30P03TS , WMO30P10TS , WMO35N06T1 , WMO35P04T1 , WMO35P06TS , WMO40N04TS .
History: IRF3710PBF | STW16NM50N
History: IRF3710PBF | STW16NM50N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc458 | a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227