WMO28N15T2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WMO28N15T2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для WMO28N15T2
WMO28N15T2 Datasheet (PDF)
wmo28n15t2.pdf
WMO28N15T2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO28N15T2 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DSFeatures G V = 150V, I = 28A DS DTO-252R
Другие MOSFET... WMO20P04T1 , WMO20P15TS , WMO240N10LG2 , WMO25N06TS , WMO25N10T1 , WMO25P03TS , WMO25P04TS , WMO25P06T1 , IRF730 , WMO2N100D1 , WMAA2N100D1 , WMO30P03TS , WMO30P10TS , WMO35N06T1 , WMO35P04T1 , WMO35P06TS , WMO40N04TS .
History: SIHU3N50D
History: SIHU3N50D
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM601LL | AGM6018A | AGM6014AP | AGM6014A | AGM55P10S | AGM55P10D | AGM55P10A | AGM55N15D | AGM55N15A | AGM502 | AGM500P20D | AGM435E | AGM425ME | AGM425MD | AGM425MC | AGM425MA
Popular searches
2sc458 | a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227



