WMO28N15T2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMO28N15T2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WMO28N15T2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO28N15T2 даташит

 ..1. Size:450K  way-on
 wmo28n15t2.pdf pdf_icon

WMO28N15T2

WMO28N15T2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO28N15T2 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D S Features G V = 150V, I = 28A DS D TO-252 R

Другие IGBT... WMO20P04T1, WMO20P15TS, WMO240N10LG2, WMO25N06TS, WMO25N10T1, WMO25P03TS, WMO25P04TS, WMO25P06T1, IRF730, WMO2N100D1, WMAA2N100D1, WMO30P03TS, WMO30P10TS, WMO35N06T1, WMO35P04T1, WMO35P06TS, WMO40N04TS