Справочник MOSFET. WMO35N06T1

 

WMO35N06T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMO35N06T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для WMO35N06T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO35N06T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:466K  way-on
 wmo35n06t1.pdf pdf_icon

WMO35N06T1

WMO35N06T1 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO35N06T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain Dsuperior switching performance. SGFeatures TO-252 V = 60V, I = 35A DS D R

 9.1. Size:608K  way-on
 wmo35p04t1.pdf pdf_icon

WMO35N06T1

WMO35P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO35P04T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DFeatures S V = -40V, I = -35A DS DGTO-252R

 9.2. Size:605K  way-on
 wmo35p06ts.pdf pdf_icon

WMO35N06T1

WMO35P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO35P06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DFeatures S V = -60V, I = -35A GDS DTO-252R

Другие MOSFET... WMO25P03TS , WMO25P04TS , WMO25P06T1 , WMO28N15T2 , WMO2N100D1 , WMAA2N100D1 , WMO30P03TS , WMO30P10TS , 20N60 , WMO35P04T1 , WMO35P06TS , WMO40N04TS , WMO50P03T1 , WMO50P04T1 , WMO55N03T1 , WMO5N50D1B , WMO60N02T1 .

 

 
Back to Top

 


 
.