Справочник MOSFET. WMO50P03T1

 

WMO50P03T1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMO50P03T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
   trⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для WMO50P03T1

 

 

WMO50P03T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:611K  way-on
 wmo50p03t1.pdf

WMO50P03T1 WMO50P03T1

WMO50P03T1 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO50P03T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DSFeatures GTO-252 V = -30V, I = -50A DS DR

 7.1. Size:612K  way-on
 wmo50p04t1.pdf

WMO50P03T1 WMO50P03T1

WMO50P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO50P04T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DFeatures SG V = -40V, I = -50A DS DTO-252R

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top